уровень акцепторных примесей

уровень акцепторных примесей
n
eng. niveau accepteur (в полупроводнике)

Dictionnaire russe-français universel. 2013.

Игры ⚽ Поможем написать реферат

Regardez d'autres dictionnaires:

  • ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… …   Физическая энциклопедия

  • Стабилитрон со скрытой структурой — Основная статья: Стабилитрон Стабилитрон со скрытой структурой (ССС, англ. buried zener)  интегральный кремниевый стабилитрон в котором, в отличие от обычных стабилитронов, под p n переходом создана скрытая область (островок) с высокой… …   Википедия

  • Полупроводники —         широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… …   Большая советская энциклопедия

  • ПРИМЕСНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ — проводимость полупроводника, при к рой осн. вклад в перенос заряда дают электроны (дырки), термически возбуждённые в зону проводимости (валентную зону) из локализованных в запрещённой зоне донорных (акцепторных) состояний (проводимость n типа и р …   Физическая энциклопедия

  • Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре  прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги  выводы коллектора и эми …   Википедия

  • люминесценция — и; ж. [от лат. lumen (luminis) свет и escentia суффикс, обозначающий слабое действие] Физ. Свечение газа, жидкости или твёрдого тела, обусловленное не нагревом тела, а нетепловым возбуждением его атомов и молекул. * * * люминесценция (от лат.… …   Энциклопедический словарь

  • ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД — (Эсаки диод) полупроводниковый диод, содержащий p n переход с очень малой толщиной запирающего слоя. Действие Т. д. основано на прохождении свободных носителей заряда (электронов) сквозь узкий потенц. барьер благодаря квантовомеханич. процессу… …   Физическая энциклопедия

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”